KSM26ED8/16ME

Giới thiệu chi tiết Bộ nhớ/ Ram Kingston 16 GB 2666MHz DDR4 ECC CL19 DIMM 1Rx8 Micron E - KSM26ED8/16ME

Thông số kĩ thuật :

- Nguồn điện: VDD = 1.2V

- VDDQ = 1.2V điển hình

- VPP = 2.5V điển hình

- VDDSPD = 2.2V đến 3.6V

- Ngắt kết nối danh nghĩa và động (ODT) cho tín hiệu dữ liệu

- Tự động làm mới ở nguồn điện thấp (LPASR)

- Đảo ngược bus dữ liệu (DBI) cho bus dữ liệu

- Tạo và hiệu chuẩn VREFDQ

- On-board I2 hiện diện-phát hiện (SPD) EEPROM

- Cảm biến nhiệt độ tích hợp SPD

- Chỉnh sửa burst-chop (BC) 4 và độ dài burst (BL) thông qua bộ đặt chế độ (MRS)

- Có thể lựa chọn BC4 hoặc BL8 trực tiếp (OTF)

- PCB: Chiều cao 1,23 ”(31,25 mm)

- Tuân thủ tiêu chuẩn bảo vệ môi trường RoHS và Halogen-Free

Ram ECC là gì ?

RAM ecc là một thanh RAM có khả năng ECC – Error Checking and Correction. Nghĩa là thanh RAM ecc có khả năng tự động sửa lỗi. Một thanh RAM bình thường (RAM non-ecc) rất dễ bị lỗi khi truyền tín hiệu ở tốc độ cao. Khi bị lỗi, RAMthường không thể sửa lỗi nên phải nạp lại toàn độ dữ liệu. Chỉ RAM ecc với khả năng tự động sửa lỗi và điều khiển dòng dữ liệu vào ra mới có khả năng ổn định quá trình truyền tín hiệu. Khi bị lỗi, RAM ecc chỉ yêu cầu gửi lại đúng gói tin bị lỗi. Vì những ưu điểm như vậy nên RAM ecc thường được sử dụng trong các máy chủ hay còn được gọi là RAM DDR ECC.

Về cấu tạo, RAM ECC có 9 chip nhớ so với RAM non-ECC chỉ có 8 chip nhớ. Ta có thể dễ dàng phân biệt 2 loại ram này bằng mắt thường (với điều kiện RAM "trần", không có lớp giáp tản nhiệt bên ngoài).