• Dung lượng 4TB, chuẩn M.2 2280, giao tiếp PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 7.450 MB/s, ghi lên đến 6.900 MB/s.
• Tích hợp tản nhiệt Heatsink, hỗ trợ kiểm soát nhiệt khi SSD hoạt động ở hiệu suất cao.
• Samsung V-NAND TLC, cache 1GB DDR4 SDRAM.
• Đọc/ghi ngẫu nhiên lên đến 1.200K/1.550K IOPS, phù hợp PC gaming và hệ thống hiệu năng cao.

• Dung lượng 1TB, chuẩn M.2 2280, giao tiếp PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 7.450 MB/s, ghi lên đến 6.900 MB/s.
• Tích hợp tản nhiệt Heatsink, hỗ trợ kiểm soát nhiệt khi SSD hoạt động ở hiệu suất cao.
• Samsung V-NAND TLC, cache 1GB DDR4 SDRAM.
• Đọc/ghi ngẫu nhiên lên đến 1.200K/1.550K IOPS, phù hợp PC gaming và hệ thống hiệu năng cao.

• Dung lượng 4TB, chuẩn M.2 2280, giao tiếp PCIe Gen 4.0 x4.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 7.450 MB/s, ghi lên đến 6.900 MB/s.
• Trang bị Samsung V-NAND TLC cùng bộ nhớ đệm LPDDR4 1GB.
• Hiệu suất đọc/ghi ngẫu nhiên lên đến 1.200K/1.550K IOPS.
• Độ bền 600 TBW, bảo hành giới hạn 5 năm.

• Dung lượng 2TB, chuẩn M.2 2280, giao tiếp PCIe Gen 4.0 x4.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 7.450 MB/s, ghi lên đến 6.900 MB/s.
• Trang bị Samsung V-NAND TLC cùng bộ nhớ đệm LPDDR4 1GB.
• Hiệu suất đọc/ghi ngẫu nhiên lên đến 1.200K/1.550K IOPS.
• Độ bền 600 TBW, bảo hành giới hạn 5 năm.

• Dung lượng 1TB, chuẩn M.2 2280, giao tiếp PCIe Gen 4.0 x4.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 7.450 MB/s, ghi lên đến 6.900 MB/s.
• Trang bị Samsung V-NAND TLC cùng bộ nhớ đệm LPDDR4 1GB.
• Hiệu suất đọc/ghi ngẫu nhiên lên đến 1.200K/1.550K IOPS.
• Độ bền 600 TBW, bảo hành giới hạn 5 năm.

• Dung lượng 4TB, chuẩn M.2 2280, hỗ trợ PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 7.150MB/s, ghi lên đến 6.300MB/s.
• Sử dụng Samsung V-NAND TLC và bộ điều khiển Samsung tự phát triển.
• Hỗ trợ NVMe 2.0, HMB và công nghệ Intelligent TurboWrite 2.0.
• Độ bền 600TBW, MTBF 1,5 triệu giờ và bảo hành giới hạn 5 năm.

• Dung lượng 2TB, chuẩn M.2 2280, hỗ trợ PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 7.150MB/s, ghi lên đến 6.300MB/s.
• Sử dụng Samsung V-NAND TLC và bộ điều khiển Samsung tự phát triển.
• Hỗ trợ NVMe 2.0, HMB và công nghệ Intelligent TurboWrite 2.0.
• Độ bền 600TBW, MTBF 1,5 triệu giờ và bảo hành giới hạn 5 năm.

• Dung lượng 1TB, chuẩn M.2 2280, hỗ trợ PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 7.150MB/s, ghi lên đến 6.300MB/s.
• Sử dụng Samsung V-NAND TLC và bộ điều khiển Samsung tự phát triển.
• Hỗ trợ NVMe 2.0, HMB và công nghệ Intelligent TurboWrite 2.0.
• Độ bền 600TBW, MTBF 1,5 triệu giờ và bảo hành giới hạn 5 năm.

• Dung lượng 1TB, chuẩn M.2 2280 PCIe 3.0 x4 NVMe 1.4.
• Tốc độ đọc lên đến 2.900MB/s, ghi tối đa 1.300MB/s.
• Sử dụng Samsung V-NAND 3-bit MLC và bộ điều khiển Pablo.
• Hỗ trợ công nghệ HMB (Host Memory Buffer) và Intelligent TurboWrite.
• Độ bền 150TBW, bảo hành giới hạn 5 năm.

• Dung lượng 500GB, chuẩn M.2 2280 PCIe 3.0 x4 NVMe 1.4.
• Tốc độ đọc lên đến 2.900MB/s, ghi tối đa 1.300MB/s.
• Sử dụng Samsung V-NAND 3-bit MLC và bộ điều khiển Pablo.
• Hỗ trợ công nghệ HMB (Host Memory Buffer) và Intelligent TurboWrite.
• Độ bền 150TBW, bảo hành giới hạn 5 năm.

• Dung lượng 250GB, chuẩn M.2 2280 PCIe 3.0 x4 NVMe 1.4.
• Tốc độ đọc lên đến 2.900MB/s, ghi tối đa 1.300MB/s.
• Sử dụng Samsung V-NAND 3-bit MLC và bộ điều khiển Pablo.
• Hỗ trợ công nghệ HMB (Host Memory Buffer) và Intelligent TurboWrite.
• Độ bền 150TBW, bảo hành giới hạn 5 năm.

• Dung lượng 4TB, chuẩn SSD 2.5-inch SATA 6Gb/s.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 560MB/s, ghi lên đến 530MB/s.
• Sử dụng Samsung V-NAND 3bit MLC và bộ điều khiển Samsung MKX.
• Bộ nhớ cache 512MB DDR4 SDRAM, hỗ trợ Intelligent TurboWrite.
• Độ bền 150 TBW, MTBF 1,5 triệu giờ, bảo hành giới hạn 5 năm.

• Dung lượng 2TB, chuẩn SSD 2.5-inch SATA 6Gb/s.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 560MB/s, ghi lên đến 530MB/s.
• Sử dụng Samsung V-NAND 3bit MLC và bộ điều khiển Samsung MKX.
• Bộ nhớ cache 512MB DDR4 SDRAM, hỗ trợ Intelligent TurboWrite.
• Độ bền 150 TBW, MTBF 1,5 triệu giờ, bảo hành giới hạn 5 năm.

• Dung lượng 1TB, chuẩn SSD 2.5-inch SATA 6Gb/s.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 560MB/s, ghi lên đến 530MB/s.
• Sử dụng Samsung V-NAND 3bit MLC và bộ điều khiển Samsung MKX.
• Bộ nhớ cache 512MB DDR4 SDRAM, hỗ trợ Intelligent TurboWrite.
• Độ bền 150 TBW, MTBF 1,5 triệu giờ, bảo hành giới hạn 5 năm.

• Dung lượng 500GB, chuẩn SSD 2.5-inch SATA 6Gb/s.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 560MB/s, ghi lên đến 530MB/s.
• Sử dụng Samsung V-NAND 3bit MLC và bộ điều khiển Samsung MKX.
• Bộ nhớ cache 512MB DDR4 SDRAM, hỗ trợ Intelligent TurboWrite.
• Độ bền 150 TBW, MTBF 1,5 triệu giờ, bảo hành giới hạn 5 năm.

• Dung lượng 250GB, chuẩn SSD 2.5-inch SATA 6Gb/s.
• Tốc độ đọc tuần tự lên đến 560MB/s, ghi lên đến 530MB/s.
• Sử dụng Samsung V-NAND 3bit MLC và bộ điều khiển Samsung MKX.
• Bộ nhớ cache 512MB DDR4 SDRAM, hỗ trợ Intelligent TurboWrite.
• Độ bền 150 TBW, MTBF 1,5 triệu giờ, bảo hành giới hạn 5 năm.

• Dung lượng 480GB, chuẩn 2.5-inch SATA-III 6Gb/s, phù hợp nâng cấp máy tính.
• Tốc độ đọc tuần tự tối đa 530MB/s, ghi tối đa 490MB/s.
• Sử dụng NAND TLC/QLC, thiết kế DRAM-less.
• Hỗ trợ nâng cấp hệ thống, cải thiện tốc độ khởi động và truy xuất dữ liệu so với ổ cứng HDD truyền thống.
• Hoạt động từ 0°C đến 70°C.

• Dung lượng 240GB, chuẩn 2.5-inch SATA-III 6Gb/s, phù hợp nâng cấp máy tính.
• Tốc độ đọc tuần tự tối đa 530MB/s, ghi tối đa 490MB/s.
• Sử dụng NAND TLC/QLC, thiết kế DRAM-less.
• Hỗ trợ nâng cấp hệ thống, cải thiện tốc độ khởi động và truy xuất dữ liệu so với ổ cứng HDD truyền thống.
• Hoạt động từ 0°C đến 70°C.

• Dung lượng 16GB, chuẩn DDR4 U-DIMM, tốc độ 3200MT/s.
• Thiết kế 288-pin, điện áp hoạt động 1.2V ± 0.06V theo chuẩn JEDEC.
• Bộ nhớ DDR4 SDRAM dạng FBGA, hỗ trợ tốc độ truyền dữ liệu cao và tiết kiệm điện năng.
• Trang bị Serial Presence Detect (SPD) qua EEPROM, giúp hệ thống nhận diện thông số bộ nhớ.
• Nhiệt độ hoạt động 0°C đến 95°C.

• Dung lượng 8GB, chuẩn DDR4 U-DIMM, tốc độ 3200MT/s.
• Thiết kế 288-pin, điện áp hoạt động 1.2V ± 0.06V theo chuẩn JEDEC.
• Bộ nhớ DDR4 SDRAM dạng FBGA, hỗ trợ tốc độ truyền dữ liệu cao và tiết kiệm điện năng.
• Trang bị Serial Presence Detect (SPD) qua EEPROM, giúp hệ thống nhận diện thông số bộ nhớ.
• Nhiệt độ hoạt động 0°C đến 95°C.

• Dung lượng 256GB, chuẩn SDXC UHS-I, tốc độ cao với chuẩn U3/V30.
• Tốc độ đọc tuần tự tối đa 180MB/s, ghi tối đa 150MB/s.
• Bộ nhớ 3D TLC, hỗ trợ quay video 4K và chụp ảnh burst.
• Thiết kế vỏ kim loại nguyên khối, chịu lực uốn lên đến 200N.
• Chống nước, bụi, thời tiết, va đập, tia X và từ tính; hoạt động từ -25°C đến 85°C.

• Dung lượng 128GB, chuẩn SDXC UHS-I, tốc độ cao với chuẩn U3/V30.
• Tốc độ đọc tuần tự tối đa 180MB/s, ghi tối đa 150MB/s.
• Bộ nhớ 3D TLC, hỗ trợ quay video 4K và chụp ảnh burst.
• Thiết kế vỏ kim loại nguyên khối, chịu lực uốn lên đến 200N.
• Chống nước, bụi, thời tiết, va đập, tia X và từ tính; hoạt động từ -25°C đến 85°C.

• Dung lượng 512GB, chuẩn CFexpress Type B, giao tiếp PCIe 3.0 hỗ trợ NVMe 1.4.
• Tốc độ đọc tối đa 1.800MB/s, ghi tối đa 1.200MB/s.
• Tốc độ đọc duy trì 1.800MB/s, ghi duy trì 450MB/s.
• Sử dụng bộ nhớ 3D TLC, hỗ trợ quay video độ phân giải cao và chụp ảnh liên tiếp.
• Thiết kế chống bụi, chống thời tiết, va đập, tia X và từ tính; hoạt động từ -10°C đến 70°C.

• Dung lượng 256GB, chuẩn CFexpress Type B, giao tiếp PCIe 3.0 hỗ trợ NVMe 1.4.
• Tốc độ đọc tối đa 1.800MB/s, ghi tối đa 1.200MB/s.
• Tốc độ đọc duy trì 1.800MB/s, ghi duy trì 450MB/s.
• Sử dụng bộ nhớ 3D TLC, hỗ trợ quay video độ phân giải cao và chụp ảnh liên tiếp.
• Thiết kế chống bụi, chống thời tiết, va đập, tia X và từ tính; hoạt động từ -10°C đến 70°C.